三星 Galaxy S25 Edge 的最新基准测试结果表明，其骁龙 8 Elite 芯片组的性能得到了显著提升。最初，该芯片组的多核性能表现不佳，似乎落后于较新的竞争对手。然而，最新的测试表明，Galaxy S25 Edge 现在可以与其类别进行有效竞争。
性能显著提升：Galaxy S25 Edge 多核得分飙升 21.6%
根据 2 月 11 日 Geekbench 6 上最新发布的调查结果，型号为 SM-S937B 的 Galaxy S25 Edge 获得了令人印象深刻的 8, 416 多核得分。与之前的基准测试相比，这标志着超过 21% 的大幅增长。相反，该设备的单核性能有所下降，得分为 2, 806，低于之前记录的 3, 005。这种差异提出了一种可能性，即早期的测试可能没有充分优化 Snapdragon 8 Elite 的功能。
更引人注目的是，三星选择了 Snapdragon 8 Elite 的超频版本，其性能核心运行频率为 4.47GHz，而不是标准的 4.32GHz。考虑到 Galaxy S25 Edge 的时尚设计，该公司本可以轻松选择部署标准版本甚至 7 核型号以降低成本。然而，三星似乎致力于为用户提供出色的体验，确保买家感觉他们正在投资顶级旗舰设备。
在规格方面，Galaxy S25 Edge 提供 12GB RAM，三星已将此标准应用于该系列的所有四款即将上市的机型。这些增强的基准测试结果表明，Galaxy S25 Edge 的发布日期即将到来，预计将于 4 月正式发布。虽然这些指标令人鼓舞，但进一步评估该设备在炎热和潮湿气候等具有挑战性的环境中的性能将至关重要。我们将继续密切关注事态发展。
新闻来源：Geekbench 6
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