AMD Ryzen 7 9800X3D 采用紧凑的芯片设计，并集成 3D V-Cache，总厚度仅为 40-45µm。然而，额外的非功能层的总厚度达到了 750µm，对维持芯片的结构完整性起着至关重要的作用。
AMD Ryzen 7 9800X3D 的结构完整性和设计创新
在游戏性能方面，AMD Ryzen 7 9800X3D 脱颖而出，成为一款强大的处理器。基于 Ryzen 7 5800X3D 首次推出的突破性 3D V-Cache 技术，AMD 重新定义了其芯片设计布局。在最新版本中，3D 芯片位于核心复合芯片 (CCD) 下方，这与之前的型号不同，之前的型号将 3D 缓存堆叠在核心上方。这种创新设计不仅降低了运行温度，还增强了设备的超频潜力，使 Ryzen 7 9800X3D 在基本时钟设置下能够实现高达 4.7 GHz 的速度。
据半导体分析师Tom Wassick介绍，9800X3D 的 CCD 结构显示出一个有趣的特点：目前的大部分硅片都没有功能用途。包括 CCD 和 SRAM 在内的实用层分别只有 7.2µm 和 6µm，总芯片堆栈只有 40-45µm。相比之下，CCD 的总厚度达到约 800µm，这意味着其中 750µm 的厚度由主要用于稳定性的非功能层组成。
虽然这些额外的硅不直接参与加工任务，但它在加强整体结构、防止制造或处理过程中损坏方面起着至关重要的作用。由于 SRAM 和 CCD 层较薄且相对脆弱，因此使用假硅可显著降低与这些精密组件相关的风险。此外，SRAM 硅在侧面额外延伸了 50µm，提供了进一步的支撑。
总体而言，这些非功能层的战略性整合确保了 AMD Ryzen 7 9800X3D 复杂 3D 芯片架构的可靠性和稳定运行。通过重新配置 CCD 下方 SRAM 的位置，AMD 有效地解决了各种操作挑战，同时增强了热管理，最终提供了性能卓越的游戏 CPU。
欲了解更多详细信息，请访问来源：@wassickt。
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