AMD 最近公布了一项专注于提升 DRAM 性能的创新专利，该专利无需使用更快的 DRAM 芯片，即可显著提升内存带宽，并利用了模块逻辑的改进。
AMD 专利无需 DRAM 芯片改进即可大幅提升内存带宽
传统上，硬件升级本身就存在挑战，通常需要进行大量的架构修改或重新设计逻辑和半导体技术。然而，AMD 的最新专利引入了一项突破性的概念，即“高带宽 DIMM”（HB-DIMM），通过实施更简单但有效的改进，成功地将 DDR5 内存带宽输出翻倍。AMD 并非仅仅专注于 DRAM 工艺的进步，而是巧妙地将寄存器/时钟驱动器 (RCD) 与数据缓冲芯片相结合，从而显著提升了内存带宽。
深入探讨技术细节，该专利概述了 HB-DIMM 方法如何绕过直接的 DRAM 增强。通过重定时和多路复用等技术，内存带宽从每针 6.4 Gb/s 提升至令人印象深刻的每针 12.8 Gb/s。带宽翻倍是因为 AMD 利用板载数据缓冲区将两个常规速度的 DRAM 流合并为一个指向处理器的加速流，从而提升了整体性能。
该技术主要针对人工智能 (AI) 和类似的带宽密集型应用而设计。此外，该专利还提出了一种针对加速处理单元 (APU) 和集成图形处理单元 (iGPU) 的有趣实现方案。它建议使用双“内存插头”：一个使用标准 DDR5 PHY，另一个指定为 HB-DIMM PHY。这种混合方法优化了内存利用率；更大的内存池源自标准 DDR5，而 HB-DIMM 通道则专为高速数据传输而设计。
就 APU 而言，这一创新策略为需要大量数据吞吐量的设备 AI 任务提供了卓越的响应能力。随着边缘 AI 在传统计算环境中的日益凸显，AMD 将从这一发展中受益匪浅。然而，值得注意的是，内存带宽的增加可能会导致功耗增加，因此需要高效的冷却解决方案来满足这一需求。
总体而言，HB-DIMM 方法展现出巨大的潜力，有效地使内存带宽翻倍，同时避免了对 DRAM 硅技术进步的需求。
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