最近的报道显示，三星在从高通手中抢夺骁龙 8 Elite 第二代芯片订单时遭遇挫折，因为这些即将推出的旗舰芯片预计将完全采用台积电先进的 3 纳米“N3P”工艺生产。然而，对于三星追赶其代工竞争对手的努力而言，或许也蕴藏着一线希望。骁龙 8 Elite 第二代芯片的一个版本，名为“Kaanapali S”，似乎可能采用三星创新的 2 纳米 GAA 技术。一份新报告显示，该芯片组的试生产目前正在进行中，随着三星提高产量，高通的双源采购愿景可能很快就会成为现实。
基于三星 2nm GAA 工艺的骁龙 8 Elite Gen 2 预计量产时间表
三星在其2025年第一季度财报电话会议上表达了对其2纳米GAA良率稳定的信心，并宣布计划于2025年下半年开始履行订单。据报道，该公司已开始其Exynos 2600芯片的原型量产，目标是在不久的将来将其良率提升至50%。这一进展意义重大，可能引起高通的关注，因为他们正在探索三星2纳米GAA技术的实际应用。据《商业邮报》报道，X平台爆料人@Jukanlosreve透露，骁龙8 Elite Gen 2将提供两个不同版本。
该芯片组的标准版本采用台积电的 3nm N3P 工艺生产，而替代版本预计将采用三星的 2nm GAA 工艺。值得注意的是，据报道，该版本的良率近期已超过 40%。骁龙 8 Elite Gen 2 的这一特定版本很可能是即将推出的 Galaxy S26 系列的专属配置，目前正在进行试产。如果三星成功完成该工艺，预计将于 2025 年下半年开始量产，并于 2026 年第一季度全面投产。虽然目前尚无关于三星代工厂月度晶圆产量的预估，但基于现有的进展，预测到年底产量将大幅增长。
另一方面，台积电已于4月1日起开始接受其2纳米技术的订单。尽管台积电目前在先进光刻技术的竞争中处于领先地位，但三星仍有可能通过推出首款采用相同制造工艺的产品来做出有力的回应。接下来的阶段对三星至关重要，因为它的目标是利用其掌握的一切资源来缩小与竞争对手台积电的市场份额差距。
新闻来源：商业邮报
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