高盛称中国先进芯片制造业落后西方科技20年

本文内容不构成投资建议。作者未持有文中讨论的任何股票。

高盛报告称，中国光刻机行业落后二十年

投资银行高盛对中国光刻机行业做出了严峻评估：目前中国光刻机行业至少落后美国同行20年。光刻技术是半导体制造的关键环节，也是制约中国生产尖端芯片的重大瓶颈。目前最先进的光刻机由荷兰公司ASML制造，由于这些设备依赖美国零部件，美国政府可以有效阻止这些设备销往中国。

华为是科技行业的领军企业，但因与中国军方的关系，美国制裁限制其从台湾台积电采购芯片。因此，华为被迫从中芯国际采购芯片。此外，制裁限制了中芯国际获得先进的极紫外 (EUV) 光刻设备，使其只能生产最高 7 纳米的芯片。

重要的是，这些芯片很可能是使用ASML较老的深紫外（DUV）设备生产的。中国国内光刻行业难以生产先进的光刻扫描仪，因为它们需要全球采购的零部件，主要来自美国和欧洲。高盛表示，这种不足导致中国光刻设备行业比ASML所代表的技术进步落后约二十年。

光刻技术在芯片制造过程中发挥着至关重要的作用，因为它需要将复杂的电路设计从光掩模转移到硅晶圆上。像 ASML 的 EUV 和高数值孔径 EUV 扫描仪这样的先进设备能够转移更小的电路图案，从而提升芯片性能。设计完成后，需要经过蚀刻和其他工艺，以达到最终的布局。

因此，光刻技术在集成电路精密制造中的重要性使其成为芯片生产的主要瓶颈。高盛报告称，中国光刻技术目前落后的现状，使其距离与ASML尖端制造工艺的水平相当，还需要相当长的时间。

像台湾台积电这样的行业领军企业已经投产先进的3纳米芯片，并正在为2纳米制程做准备。高盛强调：“阿斯麦公司花了20年时间，投入约400亿美元的研发资金，才开发出从65纳米到3纳米以下的技术。” 鉴于中国光刻机厂商目前仍停留在65纳米水平，在可预见的未来，它们似乎不太可能缩小与西方同行的技术差距。

高盛表示，根据中国企业和 ASML 的路线图，中国的光刻技术进步落后了 20 年。pic.twitter.com/ X4Lz5jh7dv

— Ray Wang (@rwang07) 2025年9月1日