骁龙 8 Elite Gen 2 搭载 4.74GHz 性能核心,在三星 Galaxy S26 Edge 上实现令人印象深刻的单核和多核性能

骁龙 8 Elite Gen 2 搭载 4.74GHz 性能核心,在三星 Galaxy S26 Edge 上实现令人印象深刻的单核和多核性能

随着高通为9月23日举行的骁龙峰会做准备,人们对其最新高端芯片骁龙8 Elite Gen 2的兴趣也达到了顶峰。最近,它在安兔兔跑分数据库中取得了令人印象深刻的380万分,比之前领先的骁龙8 Elite设备高出40.7%,在基准测试数据库中引起了轰动。这款SoC在三星时尚的Galaxy S26 Edge中得到了特别的体现,并取得了令人瞩目的性能成果。尽管如此,它的性能仍有一些细微之处需要考虑,下文将对此进行探讨。

性能核心的显微镜

型号为 SM-S947U 的 Galaxy S26 Edge 搭载骁龙 8 Elite Gen 2 处理器,单核和多核跑分成绩分别高达 3393 分和 11515 分。该设备搭载 Android 16 系统,并采用与上一代 Elite 芯片组类似的“2+6”CPU 架构。值得注意的是,性能核心的理论主频为 4.74 GHz,而能效核心则保持在 3.63 GHz。性能的飞跃很大程度上归功于高通创新性地过渡到台积电先进的第三代 3 纳米制程(也称为“N3P”),该制程提升了整体效率,并使芯片组能够实现更高的处理速度。

Snapdragon 8 Elite Gen 2 在基准测试中亮相,并在 Galaxy S26 Edge 上进行了测试
查看这些分数/图片来源 – Geekbench

此外,Galaxy S26 Edge 配备 12 GB 运行内存,凭借卓越的单线程和多线程性能,进一步巩固了其旗舰级地位。然而,必须强调的是,据报道,六个性能核心的运行频率仅为 4.00 GHz,并未达到其最大潜能。Abhishek Yadav分享的见解表明,这一限制可能是三星或高通有意为之,尽管具体原因尚未得到证实。

需要特别注意的是,Geekbench 6 并未针对持续性能评估进行优化。因此,以上分数仅代表骁龙 8 Elite Gen 2 的瞬态性能,并不一定反映其在散热限制下的性能。从历史上看,即使搭载了更强劲的骁龙芯片,三星设备在 Geekbench 6 上的得分也往往低于竞品。随着更多像 Galaxy S26 Ultra 这样的设备加入基准测试,三星设备的得分有望有所提升。

如需进一步了解,您可以探索Geekbench上的原始基准测试结果。

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