高通正在对骁龙 8 Elite Gen 5 进行微调，使其能够在本月晚些时候备受期待的发布会上亮相，并利用台积电先进的第三代 3nm “N3P” 制程。虽然这项技术与之前使用的 3nm “N3E” 技术相比仅有微小的改进，但该芯片的早期工程样品已证明，与上一代骁龙 8 Elite 相比，游戏性能和能效都有显著提升。
Snapdragon 8 Elite Gen 5 图形密集型游戏的功耗
爆料人 Digital Chat Station 透露了一项新进展，他推测骁龙 8 Elite Gen 5 在运行图形要求极高的游戏时功耗不太可能超过 5 瓦。此前，该消息人士曾表示，新芯片组的功耗指标将与骁龙 8 Elite 相同，同时提供卓越的处理能力。然而，导致这些结果的测试条件细节并未披露。这些结果似乎并非来自运行任何高负载游戏应用程序，这表明工程样品可能仍在提升帧率并优化功耗。
有趣的是，测试的游戏类型并未具体说明。与iOS系统不同，3A大作可以在原生模式下运行，而骁龙平台的用户通常依赖模拟器来获得此类体验。该消息人士指出，他们计划进行进一步的调整，以确保高性能游戏的功耗至少降低1瓦。虽然这看起来只是微不足道的降低，但节省的每一瓦都将显著提升设备性能和移动用户的电池效率。
进一步的研究表明，高通的目标是将骁龙 8 Elite Gen 5 的整体功耗控制在 5 瓦。达到这一目标不仅可以减少发热，还能提升电池的整体续航时间。然而，由于现有信息有限，准确评估骁龙 8 Elite Gen 5 的实际性能仍然具有挑战性。爱好者和相关人士可能需要等待官方发布才能了解这款芯片组的完整规格和功能。
新闻来源：数字闲聊站
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