英特尔即将推出的 18A 工艺在半导体行业引起了极大的轰动，蓝队着眼于重新夺回其领导地位。
英特尔18A工艺革命性进步：树立性能新标准
尽管英特尔各部门都面临挑战，但在首席执行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 的领导下，集成设备制造 (IDM) 计划的实施，使未来前景一片光明。该公司致力于通过垂直供应链整合增强其代工服务，这一举措已初见成效。备受期待的 18A 工艺即将推出，其显著进展已在2025 年 VLSI 研讨会上得到展示。
2025 VLSI 的一些技术亮点
英特尔 18A RibbonFET（GAA）和 PowerVia（BSPDN）- 与英特尔 3 相比，密度扩展超过 30%，性能提升了一个完整的节点
IMEC Advanced Packaging- 正面混合键合 250nm 间距和背面通过电介质通孔…… pic.twitter.com/y5UD4SALgr
– 波西波西 (@harukaze5719) 2025 年 4 月 20 日
披露的细节强调，英特尔 18A 工艺相比英特尔 3 工艺实现了超过 30% 的密度提升。这一令人印象深刻的成就归功于 PowerVia 和背面供电网络 (BSPDN) 等先进技术。性能方面，基于标准 ARM 核心子模块，18A 工艺在 1.1 V 电压下实现了 25% 的速度提升和 36% 的功耗降低。更高的面积利用率也是一项显著优势，有助于实现更高效的设计，并可能实现更高的密度。
18A工艺的一大亮点是其“电压下降”映射，展现了高性能场景下的稳定性。PowerVia技术的集成显著提升了供电稳定性。支持文档还包含一个单元库比较，表明背面供电方法能够实现更紧密的单元封装，并由于正面释放的布线空间而提高了面积效率。
总体而言，英特尔的 18A 工艺是迄今为止最先进的代工节点，随着良率的不断提高，人们对其成功推出寄予厚望。与台积电等竞争对手相比，18A 工艺的 SRAM 密度与台积电的 N2 相当，这表明英特尔正在有效缩小节点能力方面的差距。
在实际应用方面，我们预计18A技术将首先应用于Panther Lake SoC和至强“Clearwater Forest”CPU。如果英特尔保持良率增长势头并推进量产，我们最早有望在2026年见证这些创新的首次亮相。
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