联发科技正式宣布其即将推出的旗舰级系统级芯片 (SoC) 已成功流片，该芯片将采用台积电先进的 2 纳米制程工艺。这款创新芯片预计将于 2026 年底实现量产。
联发科技采用台积电先进的 2nm 技术，打造面向未来的 SoC
联发科在最近的公告中公布了其下一代旗舰SoC的计划，该SoC将采用台积电先进的2纳米制程工艺。这款新芯片预计将于2026年底实现量产，体现了联发科对半导体技术创新的持续承诺。
联发科技今日（16日）宣布，其首款采用台积电2纳米制程的旗舰SoC已成功流片，标志着联发科技作为该技术的早期采用者之一迈出了重要的里程碑。此次合作标志着联发科技在旗舰移动平台、计算、汽车和数据中心等应用领域，在高性能与低功耗的融合方面迈出了新的一步。双方携手努力，最终实现了这一突破，进一步巩固了双方长期以来的合作伙伴关系。
台积电 2 纳米制程引入了纳米片晶体管架构，在提升良率的同时优化了性能和能效。联发科的全新 SoC 预计将于 2026 年底上市。
与台积电现有的N3E工艺相比，2nm技术逻辑密度提升1.2倍，在同等功率下性能提升高达18%，在同等速度下功耗降低约36%。
正如联发科总经理陈冠州所言：“这款芯片采用台积电2纳米制程技术开发，展现了我们将先进半导体工艺融入各种解决方案的领先能力。我们与台积电的紧密合作，确保我们的旗舰产品能够提供卓越的性能和一流的能效，为全球客户提供从边缘到云端的卓越解决方案。”
虽然联发科尚未明确这款全新旗舰SoC的目标市场，但其暗示可能与NVIDIA建立合作伙伴关系，尤其是考虑到双方此前在GB10“Grace Blackwell”超级芯片上的合作。NVIDIA早期的SoC系列，包括N1和N1X，也曾与联发科合作开发，但官方尚未公布这些SoC的发布日期，外界猜测它们将于2025年初上市。
联发科和英伟达似乎都在战略性地等待时机，以确保为“AI PC”市场推出一款性能强劲的SoC解决方案。鉴于台积电先进的2纳米工艺，这或许是一个审慎的策略，可以最大限度地提升即将发布的产品的影响力。
总而言之，台积电 2nm 工艺带来了令人瞩目的进步，包括逻辑密度提升 20%，同等功率水平下性能提升 18%，以及与 N3E 工艺相比功耗显著降低 36%。值得注意的是，GB10 超级芯片采用台积电 3nm 技术打造，彰显了 2nm 工艺将带来的诸多优势。此外，AMD 计划将这项突破性技术应用于其 Zen 6 CPU。
预计明年会有更多关于这款旗舰 SoC 的消息公布，届时可能会在 2026 年台北国际电脑展 (Computex 2026) 或 GTC 2026 等大型科技盛会上发布，届时可能由联发科或与 NVIDIA 联合发布。敬请关注这些进展的最新进展。
发表回复