联发科致力于成为芯片组技术的全球领导者，并着眼于芯片制造的未来。该公司备受期待的 2nm 芯片预计将于明年某个时候亮相。然而，对于定于今年晚些时候推出的 Dimensity 9500 型号，联发科选择采用台积电 (TSMC) 的第三代 3nm 工艺。
联发科计划于 2025 年最后一个季度开始其尖端 2nm 芯片的流片流程，此举彰显了其雄心壮志。这一进展值得关注，因为它凸显了联发科对创新的承诺，目标是在 2026 年底推出其首款 2nm 产品。预计早期流片流程将为改进提供充足的时间，确保联发科能够高效地生产足够数量的芯片来满足市场需求。
效率提升：联发科 Dimensity 9600 对比
最近的对比显示，即将推出的 Dimensity 9600 的效率将比其前代产品提升 25%，令人印象深刻。这款先进的 2nm 芯片的流片计划于 2025 年 9 月开始。对于那些不熟悉的人来说，流片标志着硅芯片设计阶段的结束，并开始向台积电的量产过渡，这一过程需要大量的资金投入，通常高达数百万美元。
联发科宣布此消息后，一位高管确认将于9月开始流片。台积电已准备好从4月1日起接受其下一代光刻技术的订单，这为联发科带来了战略优势。这一时机允许进行必要的修改，使联发科即将推出的芯片能够与高通骁龙8 Elite Gen 2的性能和效率水平相媲美。
与 N3 节点相比，预期的 2nm 系统级芯片 (SoC) 性能预计将提升 15%，功耗则显著降低 25%。然而，目前尚不清楚这种比较是针对第二代 N3E 还是第三代 N3P 工艺。与此同时，高通正在为定于 9 月 23 日举行的 2025 年骁龙峰会做准备，我们预计届时将全面推出骁龙 8 Elite Gen 2，该芯片将与联发科即将推出的天玑 9500 展开竞争。
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