美光推出速度最快的 11 Gbps HBM4 模块，并与台积电探讨合作开发速度超过 40 Gbps 的 HBM4E 和 GDDR7 内存

美光科技最近宣布在内存市场取得重大进展，推出了有史以来最快的 11 Gbps 高带宽内存 (HBM4) DRAM，同时详细介绍了他们与台积电合作开发下一代 HBM4E 的计划。

行业领先的 HBM4 技术和新的合作伙伴关系

在最新的第四季度及2025财年财报电话会议上，美光科技公布了其DRAM和NAND闪存部门的重要更新。该公司公布了令人印象深刻的财务业绩，本季度营收达113.2亿美元，较上一季度的93.0亿美元显著增长。此外，本财年总营收从251.1亿美元飙升至惊人的373.8亿美元。为了进一步提升业绩，该公司正专注于下一代内存解决方案。

美光公司关于 2026 财年战略的演示幻灯片 — 美光公司 2026 财年的 DRAM/NAND 战略和细节。

谈到HBM4的开发，美光科技表示，其12-Hi HBM4 DRAM解决方案能够满足行业日益增长的性能需求。该公司已成功交付其高性能HBM4的首批样品，其引脚速度超过11 Gbps，带宽高达2.8 TB/s。美光科技声称，其HBM4内存将在性能和效率方面引领市场，超越所有竞争对手。

我们欣喜地注意到，我们的HBM份额有望再次增长，并在今年第三季度与我们整体DRAM份额保持一致，实现了我们几个季度以来一直讨论的目标。即使HBM4带宽和引脚速度的性能要求不断提高，美光科技的HBM4 12-hi仍能持续支持客户平台的升级。

我们近期已向客户交付了 HBM4 样品，其业界领先的带宽超过 2.8 TB/s，引脚速度超过 11 Gbps。我们相信，美光科技的 HBM4 性能超越所有竞品 HBM4 产品，不仅拥有业界领先的性能，还拥有一流的能效。我们久经考验的 1 伽玛 DRAM、创新高效的 HBM4 设计、自主研发的先进 CMOS 基础芯片以及先进的封装创新，是这款一流产品的关键优势所在。

Sanjay Mehrotra – 美光公司总裁兼首席执行官

除了 HBM4，美光还讨论了即将推出的 HBM4E 内存。与完全自主研发的 HBM4 不同，这款新内存将与台积电合作制造基础逻辑芯片。HBM4E 的标准版和定制版均在开发中，预计将于 2027 年上市。

对于 HBM4E，美光科技将提供标准产品以及基础逻辑芯片的定制选项。我们正与台积电合作，为标准和定制产品生产 HBM4E 基础逻辑芯片。定制需要与客户密切合作，我们预计采用定制基础逻辑芯片的 HBM4E 将比标准 HBM4E 带来更高的毛利率。我们的 HBM 客户群已扩大，目前包括六家客户。

我们与几乎所有客户都签订了 2026 年 HBM3E 供应量绝大部分的定价协议。我们正在与客户积极讨论 HBM4 的规格和产量，并预计将在未来几个月内达成协议，售出 2026 年 HBM 供应量的剩余部分。

Sanjay Mehrotra – 美光公司总裁兼首席执行官

美光 GDDR7 内存详情 — 美光的 GDDR7 内存具有速度快、游戏性能强等特点。

此外，美光还重点介绍了其与 NVIDIA 合作在数据中心引入 LPDDR 内存的举措，并以此将自身定位为此类内存的独家供应商。美光还宣布了 GDDR7 内存的改进，旨在满足人工智能和客户端应用的需求，预计未来型号的速度将超过 40 Gbps。目前，NVIDIA 是唯一一家采用 GDDR7 技术的 GPU 制造商，其首批产品引脚速度为 32 Gbps。

美光科技与 NVIDIA 密切合作，率先在服务器领域采用 LPDRAM。自 NVIDIA 在其 GB 产品系列中推出 LPDRAM 以来，美光科技一直是数据中心 LPDRAM 的唯一供应商。除了在 HBM 和 LP5 领域的领先地位外，美光科技的 GDDR7 产品也占据着有利地位，这些产品旨在提供超快的性能，引脚速度超过 40 Gbps，并具有一流的能效，可满足某些未来 AI 系统的需求。

Sanjay Mehrotra – 美光公司总裁兼首席执行官

最后，美光 1γ DRAM 节点的激动人心的进展正在进行中，其成熟良率显著快于前几代产品——速度提高了约 50%。公司在 G9 NAND 生产方面也进展顺利，在数据中心推出 PCIe Gen6 SSD 巩固了其领先地位，并承诺推出更多基于 16Gb 1γ DRAM 的创新解决方案。

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