
最近有关于 AMD 即将推出的第 6 代 EPYC Venice CPU 的泄密消息,该 CPU 采用新的 Zen 6 和 Zen 6C 核心架构设计,可能具有惊人的 256 个内核。
AMD EPYC Venice CPU:Zen 6 和 Zen 6C 架构上最多可配备 256 个内核
自从 AMD 确认其第六代 EPYC Venice CPU 系列将采用台积电先进的 2 纳米制程技术以来,围绕该系列处理器的讨论愈演愈烈。关于这款高性能芯片的最新消息于 2022 年开始浮出水面,并在 2023 年持续发布更新,引发了业内人士的期待。
根据之前的报道,Venice CPU 将提供两个版本,与 Zen 5 和 Zen 4 系列的配置相呼应。这两个版本将包括一个标准的 Zen 6 版本和一个更紧凑的 Zen 6C 版本,均兼容 SP7 和 SP8 插槽。SP7 插槽将面向高端应用,而 SP8 插槽将支持入门级服务器。值得注意的是,该平台将提供 16 通道和 12 通道内存支持。

深入技术层面,百度贴吧论坛上的一些规格信息已曝光。这些泄露信息表明,该芯片设计采用八个芯片组(CCD),每侧四个,每个CCD包含12个Zen 6核心。该设计包含多个I/O芯片(IOD),增强了这些服务器处理器的I/O功能。

该配置总计拥有令人印象深刻的 96 个核心和 192 个线程,与 AMD 目前基于 Zen 5 架构的 EPYC 9005 系列的核心数量相当。然而,据传这些新处理器的每个芯片组将包含高达 128 MB 的三级缓存。虽然目前尚不清楚这种缓存分配是适用于 Zen 6 还是 Zen 6C 版本,但 Zen 6C EPYC 芯片将保持每个核心 2 MB 的三级缓存。对于采用 Zen 6 架构的 EPYC 9006 系列,预期规格为 96 个核心和 192 个线程,由八个芯片组支持,而 Zen 6C 型号将扩展到 256 个核心和 512 个线程。
SP8:最多 128 个 Zen 6C 核心,每个 CCD 128 MB(Zen 6 型号为 96 个核心),350-400w
SP7:最多 256 个 Zen 6C 核心,~600w https://t.co/CQodEenhBk
— Bionic_Squash (@SquashBionic) 2025年5月10日
Bionic_Squash的进一步分析表明,SP7 型号预计在 600W 左右运行,高于 Zen 5 架构典型的 400W。相比之下,SP8 型号预计维持在 350-400W 的 TDP 范围内。以下是规格概要:
- EPYC 9006 “Venice”搭载 Zen 6C: 256 核 / 512 线程 / 最多 8 个 CCD
- EPYC 9005“都灵”搭载 Zen 5C: 192 个核心 / 384 个线程 / 最多 12 个 CCD
- EPYC 9006 “Venice”搭载 Zen 5:96核 / 192 线程 / 最多 8 个 CCD
- EPYC 9005“都灵”搭载 Zen 5:96核 / 192 线程 / 最多 16 个 CCD
这一丰富的产品线为数据中心和高性能计算 (HPC) 客户提供了丰富的 WeU 选择。虽然这些规格尚属初步,但 Zen 6 处理器预计将于明年推出,这为 AMD 在不久的将来发布更详细的产品信息奠定了基础。
AMD EPYC CPU 系列概述:
姓 | AMD EPYC 威尼斯 | AMD EPYC Turin-X | AMD EPYC Turin-Dense | AMD EPYC 都灵 | AMD EPYC Siena | AMD EPYC 贝加莫 | AMD EPYC Genoa-X | AMD EPYC 热那亚 | AMD EPYC Milan-X | AMD EPYC 米兰 | AMD EPYC 罗马 | AMD EPYC 那不勒斯 |
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家族品牌 | EPYC 9006 | EPYC 9005 | EPYC 9005 | EPYC 9005 | EPYC 8004 | EPYC 9004 | EPYC 9004 | EPYC 9004 | EPYC 7004 | EPYC 7003 | EPYC 7002 | EPYC 7001 |
家庭启动 | 2026年? | 2025 | 2025 | 2024 | 2023 | 2023 | 2023 | 2022 | 2022 | 2021 | 2019 | 2017 |
CPU架构 | 当时是 6 | 当时是 5 | Zen 5C | 当时是 5 | 当时是 4 | 温度是4摄氏度。 | Zen 4 V-Cache | 当时是 4 | 当时是 3 | 当时是 3 | 是 2 | 是 1 |
进程节点 | 台积电2nm | 台积电4纳米 | 台积电3nm | 台积电4纳米 | 5纳米台积电 | 台积电4纳米 | 5纳米台积电 | 5纳米台积电 | 7纳米台积电 | 7纳米台积电 | 7纳米台积电 | 14纳米 GloFo |
平台名称 | SP7 | SP5 | SP5 | SP5 | SP6 | SP5 | SP5 | SP5 | SP3 | SP3 | SP3 | SP3 |
插座 | 待定 | LGA 6096(SP5) | LGA 6096(SP5) | LGA 6096 | LGA 4844 | LGA 6096 | LGA 6096 | LGA 6096 | LGA 4094 | LGA 4094 | LGA 4094 | LGA 4094 |
最大核心数 | 256 | 192 | 128 | 128 | 64 | 128 | 96 | 96 | 64 | 64 | 64 | 三十二 |
最大线程数 | 512 | 384 | 256 | 256 | 128 | 256 | 192 | 192 | 128 | 128 | 128 | 64 |
最大 L3 缓存 | 高达 128 MB | 1536 MB | 384 MB | 384 MB | 256 MB | 256 MB | 1152 MB | 384 MB | 768 MB | 256 MB | 256 MB | 64 MB |
芯片设计 | 8 个 CCD(每个 CCD 1 个 CCX)+ 2 个 IOD? | 16 个 CCD(每个 CCD 1 个 CCX)+ 1 个 IOD | 12 个 CCD(每个 CCD 1 个 CCX)+ 1 个 IOD | 16 个 CCD(每个 CCD 1 个 CCX)+ 1 个 IOD | 8 个 CCD(每个 CCD 1 个 CCX)+ 1 个 IOD | 12 个 CCD(每个 CCD 1 个 CCX)+ 1 个 IOD | 12 个 CCD(每个 CCD 1 个 CCX)+ 1 个 IOD | 12 个 CCD(每个 CCD 1 个 CCX)+ 1 个 IOD | 8 个 CCD(每个 CCD 1 个 CCX)+ 1 个 IOD | 8 个 CCD(每个 CCD 1 个 CCX)+ 1 个 IOD | 8 个 CCD(每个 CCD 2 个 CCX)+ 1 个 IOD | 4 个 CCD(每个 CCD 2 个 CCX) |
内存支持 | DDR5-XXXX? | DDR5-6000? | DDR5-6400 | DDR5-6400 | DDR5-5200 | DDR5-5600 | DDR5-4800 | DDR5-4800 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | DDR4-2666 |
内存通道 | 16通道(SP7) | 12通道(SP5) | 12通道 | 12通道 | 6通道 | 12通道 | 12通道 | 12通道 | 8通道 | 8通道 | 8通道 | 8通道 |
PCIe Gen 支持 | 待定 | 待定 | 128 个 PCIe Gen 5 | 128 个 PCIe Gen 5 | 96 第五代 | 128 第五代 | 128 第五代 | 128 第五代 | 128 第四代 | 128 第四代 | 128 第四代 | 64 第三代 |
TDP(最大) | ~600瓦 | 500瓦(cTDP 600瓦) | 500瓦(cTDP 450-500瓦) | 400瓦(cDP 320-400瓦) | 70-225瓦 | 320瓦(cTDP 400瓦) | 400瓦 | 400瓦 | 280瓦 | 280瓦 | 280瓦 | 200瓦 |
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