半导体行业的竞争日益激烈，尤其是在2纳米节点领域。日本Rapidus公司宣布了一项重大突破，使其跻身台积电、三星等行业领先者的行列。
Rapidus 凭借创新技术在 2nm 生产方面取得进展
历史上，台积电一直主导着芯片制造领域，紧随其后的是三星和英特尔。然而，Rapidus 正准备进军 2 纳米领域，并展示其强大的技术进步。该公司在最近的公告中透露，已在其 IIM-1 代工厂成功开发出采用全栅环 (GAA) 技术的 2 纳米芯片原型。这一成就使 Rapidus 成为该节点规模 GAA 技术量产的先驱，预计将于 2027 年开始大规模生产。
为了优化生产效率，Rapidus 在初始制造阶段实施了“单晶圆”处理策略。这种方法可以实时调整和改进，使 Rapidus 能够利用人工智能的功能进行生产反馈。通过改进工艺并提高良率，Rapidus 成为首批在其 2nm 生产线上采用这些尖端方法的公司之一，这凸显了在关键的采样阶段精度的重要性。
Rapidus 的另一个重要里程碑是其采用极紫外 (EUV) 光刻技术，使其成为日本首家采用此类先进设备的公司。此次与 ASML 设备的整合，进一步增强了 Rapidus 与台积电在光刻领域的技术实力，彰显了其对创新的坚定承诺。公司计划在 2026 年第一季度前发布 2 纳米 GAA 工艺设计套件 (PDK)，为 2027 年全面投产前的定制化解决方案奠定基础，这比台积电的预期时间表晚了近一年。
随着 Rapidus 技术的不断进步，行业格局或将发生改变。像 Rapidus 这样的新竞争对手的出现，可能会为半导体市场带来必要的多元化，尤其是在老牌企业似乎难以保持领先地位的情况下。
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