新思科技宣布成功实现基于台积电尖端 N2P 工艺节点的 LPDDR6 知识产权 (IP) 的硅片生产，在移动内存技术领域取得了重大进展。
N2P 技术带来令人印象深刻的带宽成就
对于不熟悉的人来说，硅片启动 (Bring-up) 指的是新芯片的初始上电阶段，尤其适用于 IP 模块。这一关键过程涉及一系列测试，包括硬件验证、电源排序和其他关键检查。新思科技 (Synopsys) 的最新进展凸显了其开发可授权 LPDDR6 IP 模块的能力，该模块可达到高达 86 GB/s 的超高带宽，与 JEDEC 标准设定的规范高度一致。
我们已成功在台积电 N2P 上实现 LPDDR6 IP 的硅片上线，提供高达 86GB/s 的带宽。高效的 LPDDR SDRAM 将助力下一代移动、AI 和边缘系统。
— Synopsys (@Synopsys) 2025 年 10 月 16 日
此次开发标志着台积电先进的 N2P 工艺与 LPDDR6 IP 模块的首次集成。该 IP 的架构由两个主要元素组成：控制器和 PHY 接口。控制器负责实现 JEDEC 协议引擎并管理时序控制和低功耗状态。重要的是，台积电的 N2P 工艺增强了 PHY 的功能，因为它包含旨在优化性能的先进模拟和 I/O 电路。
值得注意的是，LPDDR6 控制器需要更高的密度和速度才能实现高效的时序收敛。N2P 技术在这方面表现出色，拥有令人印象深刻的功耗-性能-面积 (PPA) 指标。这不仅降低了每比特的能耗，还最大限度地减少了内存的物理占用空间，使其更适合应用于设备端 AI 和其他高能效平台。
新思科技深入研究性能指标，发现该堆栈支持高达 86 GB/s 的惊人带宽，与 JEDEC 约 10.667 GB/s 的单引脚标准一致。理论最高速度可达单引脚 14.4 GB/s 左右，相当于令人印象深刻的 115 GB/s 总带宽。这表明，在台积电 N2P 技术的创新推动下，LPDDR6 相较于 LPDDR5 实现了显著的代际飞跃。展望未来，LPDDR6 有望在来年成为主流解决方案，并有望重新定义移动内存的行业基准。
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