台积电向先进光刻技术的转型，取决于其购置的先进极紫外 (EUV) 光刻机。这些先进的系统对于快速生产 2 纳米晶圆并最大程度地降低缺陷率至关重要。今年早些时候，台积电开始接受这项创新制造工艺的订单，联发科计划在 2025 年第四季度开始流片其首款 2 纳米芯片组。然而，进入 2 纳米以下领域需要使用卓越的设备。ASML 的高数值孔径 (NA) 技术被认为是解决这些复杂制造任务的关键。然而，最近的一份报告显示，台积电仍对采购如此昂贵的设备犹豫不决。
EUV 机器的高成本对台积电构成挑战
台积电部署的最先进的EUV系统需要投入巨额资金，成本接近ASML最新NA技术的一半。台积电预计2纳米工艺将在未来几年内成熟，据报道，其已将目光投向1.4纳米节点，该节点旨在将功耗显著降低30%。这项被称为A14或14埃的技术预计将于2028年开始量产。实现这项先进的光刻技术可能需要依赖尖端设备，特别是ASML的高NA系统。尽管如此，据路透社报道，台积电目前正在权衡进行此类投资的必要性。
台积电高级副总裁张文宏最近谈到了公司对这些先进节点的探索，并对为何需要为ASML的高端设备拨款4亿美元提出了质疑。他表示，目前的定价不足以提供令人信服的升级理由。为了优化运营，台积电有效地利用了现有的EUV技术，最大限度地发挥了现有设备的价值。
只要现有硬件能够继续充分满足最新光刻工艺的需求，台积电可能会推迟任何重大采购。与此同时，ASML 的其他客户也渴望提升其竞争优势；这家荷兰制造商已经向包括三星在内的多家客户交付了五台高数值孔径 (High-NA) 光刻机。值得注意的是，据报道，三星已经组建了一支专注于 1nm 制程的专门团队，目标是在 2029 年实现量产。
台积电最终是否会投资高NA机台尚不确定。然而，该公司多年来一直成功保持行业领先地位，这表明他们可能正在采取有效的策略来保持竞争优势。
新闻来源：路透社
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