初步固件测试显示,三星 Galaxy S25 FE 的较大蒸汽室可能未得到充分利用

初步固件测试显示,三星 Galaxy S25 FE 的较大蒸汽室可能未得到充分利用

三星 Galaxy S25 FE 及其前代产品 Galaxy S24 FE 采用了相同的图形处理单元三星 Xclipse 940。然而,初步测试表明,与 S24 FE 相比,S25 FE 出现了更严重的节流问题。

架构对比:三星 Galaxy S25 FE 与 S24 FE

  1. CPU 性能– Galaxy S25 FE 和 S24 FE 均配备相同的 CPU 架构,其特点是:
    • 4 个 Cortex-A520 内核,运行频率为 1.95 GHz
    • 3 个 Cortex-A720 内核,主频 2.60 GHz
    • 2 个 Cortex-A720 内核,主频 2.90 GHz
    • S25 FE 配备1 个 Cortex-X4 内核,主频为3.21 GHz,而 S24 FE 则运行于3.11 GHz
  2. GPU 规格– 两款设备均采用三星 Xclipse 940 GPU,其时钟速度为 1, 095 MHz。
  3. 制造工艺——每个片上系统 (SoC) 均采用 4nm 光刻技术构建。

三星 Galaxy S25 FE 的散热性能问题

尽管拥有相似的 SoC 架构,三星 Galaxy S25 FE 仍面临着显著的散热挑战。考虑到它比 S24 FE 拥有更大的均热板,这一点尤其令人担忧。

根据 Android Authority 进行的初步固件测试,与前代产品相比,S25 FE 往往会快速升温,并且性能会受到严重限制。

这一意外结果突显了该设备在压力测试期间仅能维持其峰值 GPU 性能的 59% 到 66% 的能力,而 Galaxy S24 FE 则能维持其峰值性能的 71% 到 72% 左右。

造成这些差异的根本原因可能是:

  1. 初始固件可能未优化,但可能会通过未来的更新得到改进。
  2. 蒸汽室可能无法有效发挥作用,从而影响散热。

随着事态的发展,我们将为读者提供及时的更新和对这一不断变化的形势的更深入的见解。

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