中国领先内存生产商长鑫存储将重点转向 DDR5 和 HBM3 制造，与三星、SK 海力士等公司竞争

中国长鑫存储科技股份有限公司（CXMT）采取了一项重大战略举措，将重心从 DDR4 内存生产转向专注于尖端内存技术。

CXMT 转向 DDR5：DRAM 市场格局的改变者

中国科技格局正以惊人的速度演变，这在很大程度上得益于中国面对美国限制而努力增强自主能力。这种自主发展动力推动了人工智能和计算解决方案等各个领域的发展。在这一变革环境中崛起的关键企业之一是长鑫存储（CXMT）。该公司即将开始本地化生产DDR5内存模块，以与全球标准接轨（来自《电子时报》）。

长鑫存储拥有卓越的制造能力，使其能够快速扩大产能。长鑫存储计划在2025年第一季度末逐步淘汰DDR4技术，宣布其为产品生命周期结束（EOL）。预计到2025年末，该公司每月晶圆产量将达到28万片，约占全球DRAM产量的15%。考虑到长鑫存储与竞争对手相比在获取广泛制造资源方面面临限制，这一里程碑尤为重要。

尽管雄心勃勃，长鑫存储的 DDR5 技术仍处于不成熟阶段。据报道，目前的样品良率并不理想，导致该公司难以满足国内合作伙伴的集成需求，最终不得不依赖韩国的替代产品。此外，高温下的性能稳定性问题也给其产品在消费者市场营销方面带来了更多挑战。尽管如此，该公司仍保持乐观，并预计其技术开发将在年底前取得突破。

除了 DDR5 方面的努力外，据推测长鑫存储 (CXMT) 还在基于其现有的 HBM2 技术能力，开发高性能高带宽存储器 (HBM) 解决方案，可能是 HBM3。鉴于 HBM 技术对当代 AI 加速器至关重要，这一进展可能比 DDR5 转型更具意义。如果华为能够确保 HBM3 的稳定供应，这可能会对科技格局产生重大影响。

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