中国领先的存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）正在半导体行业取得显著进展，向包括华为在内的国内知名人工智能 (AI) 公司发送其 HBM3（高带宽存储）芯片样品。此举旨在缓解长期以来困扰中国 AI 芯片生产的高带宽存储危机。
长鑫存储计划2027年在中国推出HBM3E，抢占DRAM需求先机
多年来，中国政府一直努力应对高带宽存储器（HBM）供应短缺的问题，这阻碍了华为等大型企业提升其人工智能芯片制造能力。长期以来，中国企业一直依赖于有限的出口管制前HBM库存，难以开发出足够的技术解决方案和生产能力。然而，据《电子时报》（DigiTimes）报道，长鑫存储向华为交付至关重要的HBM3样品，标志着其朝着预计将于今年晚些时候开始的大规模生产迈出了关键一步。
分析人士断言，尽管长鑫存储可能落后世界顶级制造商三到四年，但它的进步标志着增强中国半导体独立性、挑战国际 DRAM 生产商长期领先地位的关键进展。
尽管长鑫存储面临技术挑战，但得益于成熟的生产线，其在DRAM领域仍占据重要地位。预计2023年，该公司的DRAM产量将持续增长，其中国工厂的月产量有望达到23万至28万片晶圆。这一产能对于长鑫存储成功加速国产HBM技术发展至关重要，尤其是在华为和寒武纪等人工智能巨头迫切寻求提升技术的情况下。
除了在高带宽存储器 (HBM) 技术方面的努力外，长鑫存储还在消费级内存领域取得进展，近期推出了 DDR5 内存模块，良率高达 80% 以上。此外，该公司预计将于 2026 年第一季度进行首次公开募股 (IPO)，进一步提升其市场地位。
高带宽内存的需求被认为是中国人工智能领域发展的一大障碍。长鑫存储致力于自主研发尖端技术的雄心，凸显了中国政府对人工智能计算进步的不懈追求。在中国日益摆脱对西方技术框架的依赖之际，这一转变尤为重要。
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