中国长江存储进军 DRAM 市场，通过国内生产解决区域 HBM 短缺问题

长江存储是中国领先的 NAND 闪存制造商之一，目前正在进军 DRAM 领域，尤其注重自主研发高带宽存储器 (HBM) 解决方案。这一战略举措旨在缓解中国目前面临的 HBM 短缺问题，而这一问题主要源于人工智能芯片技术需求的激增。

长江存储进军DRAM领域：生产线和HBM重点

中国对高带宽存储器（HBM）——人工智能芯片的关键部件——的需求不断增长，导致库存严重枯竭，迫使中国严重依赖日益减少的储备。相比更广泛的芯片产能问题，确保国内HBM资源的挑战对中国科技产业构成了更大的威胁。近日，路透社报道称，长江存储正式进军DRAM市场，生产HBM解决方案，凸显了解决这一严重短缺问题的紧迫性。

去年 12 月，美国扩大了出口管制，限制北京获取高带宽存储器 (HBM)，这是一种用于制造 AI 芯片组的专用 DRAM 形式。此后，这家国有芯片制造商的举动凸显出中国对提升先进芯片制造能力的迫切需求。——路透社

除了专注于HBM生产外，长江存储还在投资先进的芯片封装技术，尤其是硅通孔（TSV）技术。这项技术在增强堆叠VRAM芯片之间的连接性方面发挥着至关重要的作用，而这对于高效制造HBM至关重要。长江存储进军DRAM生产不仅旨在满足自身HBM需求，也致力于解决目前阻碍中国领先科技公司采用人工智能技术的供需失衡问题。

到 2025 年，HBM 市场价格将飙升 10%，因为明年需求将翻一番 — 三星HBM

此前有报道称，长江存储计划与中国知名 DRAM 制造商长鑫存储 (CXMT) 合作，共同生产 HBM。此次合作旨在利用 CXMT 在 3D 堆叠技术方面的专业知识，该技术对 HBM 的开发至关重要。此外，长江存储计划在武汉设立一座生产设施，用于其 DRAM 业务，但具体的生产时间表和产量目标仍不确定。转型至 DRAM 领域是一项艰巨的任务，建立可持续的生产模式需要时间。

解决HBM供应瓶颈是许多中国企业的首要任务，尤其是在华为等竞争对手纷纷公布其下一代AI芯片的内部HBM集成计划之际。该领域的进步可能会对国内科技格局产生持久影响，从而进一步促进创新和生产力提升。

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