中国长江存储与长鑫存储携手进军 DRAM 市场,并在 HBM 技术上展开合作

中国长江存储与长鑫存储携手进军 DRAM 市场,并在 HBM 技术上展开合作

近期报道显示,中国领先的存储器生产商之间开展了一项重要合作,其中,知名的 NAND 闪存制造商长江存储 (YMTC) 将与长鑫存储 (CXMT) 携手推进高带宽存储器 (HBM) 的生产。此次合作尤其着眼于下一代 HBM3 及更高技术。

YTMC与CXMT强强联手,开启HBM3技术新纪元

中国正积极争取在各个制造业领域实现自给自足,包括人工智能芯片以及半导体和高带宽存储器 (HBM) 等关键部件。在高带宽存储器领域,长鑫存储已成为一家实力雄厚的厂商,目前正在量产 HBM2。ZDNet Korea 的一份报告强调,此次与长江存储的合作将引领 DRAM 技术的进步,从而显著增强 HBM 解决方案。

作为进军 DRAM 市场战略的一部分,长江存储正准备投资相关技术,以优化 HBM 生产。据报道,该公司即将订购 DRAM 研发设备,并计划与长鑫存储合作,以加速其发展计划。值得注意的是,长鑫存储是中国最大的 DRAM 生产商,并且正在快速推进 HBM3 产能的研发。

HBM 市场价格飙升预测

通过此次战略联盟,长江存储预计将利用长鑫存储开发的混合键合技术,这对于加速向基于 DRAM 的 HBM 解决方案的过渡至关重要。此次合作的重点之一是提升产能。长江存储此前是领先的 NAND 生产商之一,此前已与三星建立合作伙伴关系,这表明其拥有应对该地区 HBM 生产挑战所需的技术实力。

此次合作对三星等韩国巨头构成了潜在的竞争。尽管三星在知识产权和技术方面处于领先地位,但他们可能会受到中国存储器制造商快速发展的冲击。目前,建立强大的半导体和HBM生产能力仍然是中国的重点,尤其是在中国致力于发展自主的人工智能技术生态系统的情况下。

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