英特尔推出了其创新的 18A 工艺节点，该节点将取代英特尔 3 节点，其时钟速度和电压可扩展性均有所增强，有望提升各种应用程序的性能。
英特尔 18A 工艺节点简介：一次飞跃
在2025年VLSI技术与电路研讨会上，英特尔展示了其尖端的18A工艺节点。这项新技术将为未来的产品线提供支持，例如面向消费市场的“Panther Lake”CPU，以及面向服务器的Clearwater Forest E-Core专用至强处理器。
先进的CMOS技术
“英特尔 18A 平台技术采用 RibbonFET (GAA) 和 Power Via 技术，助力实现先进的高性能计算”——英特尔（论文 T1-1）。突破性的 18A 技术采用 RibbonFET 和 Power Via 技术，与英特尔 3.0 相比，密度提升超过 30%，性能全面提升。它包含高性能 (HP) 和高密度 (HD) 库，旨在实现芯片架构的最佳可用性和创新。
英特尔 18A 节点的突出特点主要集中在 RibbonFET 技术和 PowerVia 上。这些进步为提高效率和向下一代处理技术的过渡铺平了道路。
英特尔转向 18A RibbonFET 技术，标志着该技术相较于 FinFET 工艺取得了重大进步。它改善了栅极静电性能，最大化了单位面积的有效栅极宽度，降低了寄生电容，并提高了设计灵活性。
RibbonFET 相对于 FinFET 的设计改进涵盖了各个方面，包括：
- 适用于 180H 和 160H 库的多种色带宽度。
- 通过设计技术协同优化 (DTCO) 实现最佳逻辑功率/泄漏权衡。
- 专为 SRAM 定制的带状宽度可增强位单元性能。
借助英特尔 18A PowerVia 技术，电源传输也得到了显著增强，该技术利用背面的电源信号线取代正面连接。这种创新方法可以实现：
- 增强逻辑密度。
- 卓越的标准电池利用率。
- 降低信号电阻电容（RC）。
- 最小化电压下降。
- 提高了设计灵活性。
英特尔 18A 规格
| HP/DR 库高度 (nm) | 180/160 |
|---|---|
| 接触多晶硅间距 (nm) | 50 |
| M0间距（纳米） | 三十二 |
| HCC/HDC SRAM 区域 | 0.023/0.021 微米² |
| 正面金属层数量 | 10ML低成本，10ML高密度，14-16ML高性能 |
| 背面金属层数量 | 3毫升+3毫升 |
通过这些技术进步，英特尔的 18A 工艺节点与英特尔 3 相比，在等功率条件下实现了超过 15% 的性能提升。
在 1.1V 电压下，18A 节点可提供约 25% 更高的频率性能。此外，它支持低于 0.65V 的低压操作，在同等时钟速度下可节省高达 38% 的功耗。这些性能提升的关键因素包括：
- RibbonFET晶体管。
- 背面供电优势。
- 改进了正面的互连。
- 流程和设计共同优化。
对于密度扩展，英特尔的 18A 节点与英特尔 3 相比密度提高了 39%，背面电源技术使单元利用率提高了 8-10%，同时将最坏情况下的 IR 下降显著降低了 10 倍。此外，它提供 180nm 的 HP 库高度，而英特尔 3 为 240nm，HD 库高度为 160nm，而英特尔 3 为 210nm，M0/M2 间距为 32/32，而英特尔 3 为 30/42。
在 SRAM 扩展方面，与英特尔 3 相比，18A 节点的 HCC SCRAM 密度提升了 30%，HCC 为 0.0230 µm²，HDC 为 0.0210 µm²。此外，英特尔计划在 18A 节点上进行迭代改进，并计划于 2026 年至 2028 年期间推出 18A-P 和 18A-PT 等更多变体，鼓励客户在芯片生产中充分利用这些进步。
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