在最近的开放计算项目 (OCP) 全球峰会上，三星公布了高带宽内存 (HBM) 的重大进展，尤其是即将推出的 HBM4E 技术，成为内存制造领域的领跑者。新一代内存有望在其前代产品的基础上实现显著的性能提升。
三星 HBM4E：内存技术的飞跃，速度无与伦比
三星一直在积极推进其 HBM 产品，最近与 NVIDIA 和 AMD 等主要厂商签订了关键合同。在 OCP 活动上，该公司阐明了其 HBM 系列的未来发展方向，并强调了 HBM4 和下一代 HBM4E 的卓越规格。值得注意的是，HBM4E 的引脚速度将达到每堆栈 13 Gbps，相当于惊人的 3.25 TB/s 带宽，这在性能指标上实现了显著提升。
此外，HBM4E 模块拥有令人印象深刻的能效，据报道其能效几乎是现有 HBM3E 的两倍。三星的 HBM4 工艺也树立了新的标杆，达到了 11 Gbps 的引脚速度，超越了 JEDEC 等组织定义的既定标准。这一突破符合 NVIDIA 对增强型 HBM4 解决方案的需求，旨在提升其 Rubin 架构的性能。据当地媒体报道，三星率先实现了这一突破。
三星电子此前在HBM3E领域落后于竞争对手，自HBM4研发伊始，便积极追求更高的带宽能力。随着HBM4速度竞赛接近尾声，该公司的战略是保持势头，向下一代技术迈进。—— Sedaily
除了性能提升之外，三星还致力于为 NVIDIA 等公司建立具有竞争力的 HBM4 供应定价机制。由于先进的半导体技术 (4nm) 是 HBM4 不可或缺的组成部分，三星的内部代工能力能够更好地控制这些模块生产的利润率。
至于HBM4E的市场推出，预计将于2026年初首次亮相，与HBM4技术的量产时间表一致。
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