科技界对三星即将推出的 Galaxy S26 系列充满期待，对其功能也寄予厚望。继 Galaxy S25 系列强调其集成 AI 功能之后，三星似乎准备在其下一款旗舰产品中推出重大改进。最近的泄密事件引发了人们对 Galaxy S26 Ultra 重大改进的猜测，尤其是在内存性能方面，科技爱好者们渴望了解更多信息。
Galaxy S26 Ultra 的 RAM 大幅升级：为何如此重要
在我们翘首以盼 Galaxy S26 系列正式发布之际，内部消息和传闻开始勾勒出 S26 Ultra 的更多细节。精致的设计、更轻巧的结构、更强大的摄像头功能，以及至关重要的内存性能显著提升，都是备受关注的改进之处。据知名爆料人Ice Universe透露，S26 Ultra 将搭载美光科技先进的 LPDDR5X 内存，运行速度高达 10.7 Gbps。这比 S25 Ultra 的 9.6 Gbps 速度有了显著提升。
Galaxy S26 Ultra 10.7Gbps LPDDR5X
— PhoneArt (@UniverseIce) 2025年8月8日
内存的升级主要归功于美光创新的 1γ (1-gamma) DRAM 架构，该架构提升了能效和多任务处理能力。与上一代 1β (1-beta) 相比，这一全新架构在节省电池续航的同时，实现了更流畅的性能。虽然速度提升在日常使用中可能不会立即显现，但在内存带宽对于稳定性和优化功能至关重要的高性能场景中，速度提升至关重要。
此外，三星对先进AI功能的重视与RAM的升级相得益彰，确保Galaxy S26 Ultra不仅保持强大的性能，还能出色地执行高要求的应用程序。预计新款机型将搭载骁龙8 Elite 2芯片，配合RAM的升级，进一步提升其性能潜力。
在竞争日益激烈的市场环境下，竞争对手纷纷努力提升内存和存储能力，三星必须保持领先地位。通过整合升级的运行内存和更高的效率，这家韩国科技巨头有机会在未来一年重新定义安卓设备的标准。这种结合有望显著提升电池续航时间和峰值性能。
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