三星雄心勃勃的2026年下一代存储器生产计划
三星正积极筹备内存技术的重大进步，目标是启动下一代高带宽内存（HBM4）的生产，同时还将推出计划于 2026 年上市的 24 Gb GDDR7 DRAM 和 128GB+ 产品。
近期财务业绩亮点
三星在2025年第三季度财报中公布，营收同比增长15.4%，达到86.1万亿韩元，创历史新高。这一突破性增长主要得益于市场对HBM3E内存和服务器固态硬盘需求的激增，尤其是人工智能领域的蓬勃发展更是推动了公司业绩的显著提升。
下一代HBM4和2nm工艺的介绍
近日，三星发布了其先进的HBM4内存解决方案，单芯片传输速度高达11Gbps。这种内存类型被视为NVIDIA和AMD等行业巨头即将推出的AI加速器（尤其是Rubin和MI400系列）的有力竞争者。据报道，AI芯片制造商正在对这款尖端HBM4内存的样品进行测试和认证。
配合 HBM4 的研发，三星正致力于确保到 2026 年能够稳定供应其 2nm 全方位栅极 (GAA) 工艺和 HBM4 基础芯片。这项 2nm 技术有望提升下一代 Exynos 和高通骁龙系统芯片 (SoC) 的产能，预计将于本季度开始量产。
2025年第四季度，公司将积极响应人工智能和传统服务器的需求，推出HBM3E、高密度eSSD和其他领先的内存产品。此外，公司还将继续扩大业界领先的高附加值服务器内存产品的销售，例如128GB及以上容量的DDR5内存以及24GB GDDR7内存。
展望2026年，内存业务将专注于量产性能差异化的HBM4产品，同时扩大HBM的销售规模。尤其值得注意的是，市场对HBM4的需求预计也将增长，公司计划积极响应，在1c阶段扩大产能。此外，公司还将着力拓展其他高附加值产品的销售，例如DDR5、LPDDR5x和高密度QLC固态硬盘，以满足人工智能应用的需求。
2025 年第四季度，公司将通过提高 2nm 环栅 (GAA) 产品的量产能力、提高晶圆厂利用率和优化成本，力争持续改善盈利能力。
2026 年，晶圆代工业务将专注于稳定供应新的 2nm GAA 产品和 HBM4 基片，并及时启动公司位于德克萨斯州泰勒市的晶圆厂的运营。
未来产品影响和市场趋势
三星已经明确了128GB+ DDR5内存和24Gb GDDR7 DRAM在2026年将发挥的关键作用。预计AMD和英特尔将在2026年下半年发布新的服务器平台，这将显著提升市场活跃度。
预计市场对 GDDR7 的需求将保持强劲，尤其是在高端消费者和 AI 显卡开发商中。NVIDIA 近期发布的 Rubin CPX GPU 是这种显存的理想之选，它也可能适用于即将推出的 NVIDIA RTX 50 “SUPER” 系列以及潜在的 AMD Radeon “RDNA 5” 或 “RDNA 4” 更新产品。24Gb 的 DRAM 芯片不仅可以提升显存容量，还能弥补主流市场中的显存缺口。
然而，DRAM 和 SSD 市场目前面临的一个紧迫挑战是，人工智能的过度发展导致面向消费者的产品价格飙升。近期报告显示，在供应日益短缺的情况下，DDR5 内存和 SSD 的价格大幅上涨，引发了消费者和制造商的担忧。多家主要 DRAM 生产商已宣布即将上调 DDR5 和 DDR4 内存的价格，这促使人们更加密切地关注未来几个月的市场动态。
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