得益于 DRAM 技术的进步，三星在 HBM4 开发方面取得进展
三星在高带宽存储器 (HBM) 领域一直面临挑战，尤其是在 HBM3 标准方面。该公司难以获得发展动力，未能获得 NVIDIA 的关键认证，这严重影响了其收入来源。尽管 HBM3E 标准的推出使三星取得了一些进步，但仍未能有效融入 NVIDIA 的主流供应链。然而，围绕 HBM4 的最新进展预示着一个积极的转变，三星正准备与 AMD 和 NVIDIA 等行业巨头合作，很快开始提供 HBM4 产品的样品。
三星计划本月内向 NVIDIA 和 AMD 等客户提供 HBM4 12 英寸样品。https ://t.co/KTWaFHEDA1
– Jukan (@Jukanlosreve) 2025 年 7 月 21 日
市场对三星HBM4进展的乐观情绪源于该公司在第六代1c DRAM技术上的重大突破。得益于创新技术，三星提高了良率，从而能够更好地满足行业需求。此次，三星强调推出具有商业可行性的产品的重要性，将质量置于速度之上，以促进AMD和NVIDIA等领先制造商的采用。
鉴于HBM4预计将在未来几个季度实现量产，三星正加紧准备满足巨大的需求，尤其是来自NVIDIA Rubin架构和AMD Instinct MI400等平台的需求。供应链竞争加剧可能会导致HBM价格下降，从而使最终用户受益。此外，如果三星获得NVIDIA的验证，其产量有望大幅提升，从而巩固其在HBM市场的地位。
目前看来，三星在 HBM4 方面的发展前景一片光明。然而，仍需谨慎，因为该公司的命运可能瞬息万变，令人想起 HBM3 阶段的不可预测性。
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