三星电子正加紧加强其在美国半导体市场的影响力。最近的报道显示，该公司计划抢在竞争对手台积电之前推出尖端的2纳米芯片制造工艺。
三星泰勒工厂雄心勃勃的 2nm 生产时间表
三星历来在半导体领域抱有远大的抱负，但由于良率低或公司专注力动摇等挑战，其抱负往往未能实现。然而，随着美国芯片需求的飙升，该公司决心抓住机遇。据ZDNet Korea报道，三星计划在韩国推出首个“国产”2nm 技术，并已开始在其位于德克萨斯州泰勒的工厂进行生产准备。
虽然目前在美国生产2纳米芯片尚处于规划阶段，但三星对这项合作充满希望。这种乐观情绪源于各大科技公司对采购美国制造芯片的兴趣日益浓厚。该公司计划最早于明年1月或2月启动2纳米工艺的量产，并将研发资源重新分配至泰勒工厂。尽管三星在美国的业务尚未达到台积电的成功，但尽管人们对泰勒工厂能否实现生产里程碑仍心存疑虑，但该公司似乎决心在该行业开辟一条重要的新道路。
三星最初的计划包括在美国生产 4nm 芯片，并借助《芯片法案》（CHIPS Act）的财政支持。然而，尽管投入了大量资金，该公司仍未能投产。随着 SF2 项目重新成为焦点，业界正密切关注三星能否实现目标。为了与台积电在亚利桑那州的业务竞争，推出具有竞争力的 2nm 制程工艺，对于三星巩固其在半导体领域的关键地位至关重要。
关于SF2项目，报告显示其进展良好，良率据称已达到40%。虽然这一数字低于台积电2纳米工艺60%的良率，但三星致力于提高该领域的效率，这或许能使其在这一先进技术领域保持有效竞争。关键问题依然存在：三星能否达到实现2纳米芯片量产所需的良率？
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