三星成立 1nm 芯片开发团队，目标 2029 年量产；等待 1.4nm 进展更新

三星在半导体技术方面取得了长足进步，尤其是在 2nm 环绕栅极 (GAA) 工艺方面。为了突破芯片制造的界限，该公司已启动自主研发 1nm 工艺的计划。据最近的报道，三星已组建专门的团队来加速这一开创性项目的推进。然而，值得注意的是，1nm 芯片的大规模量产预计要到 2029 年才能实现。

1nm技术的要求和当前发展

制造 1 纳米晶圆的关键在于获得“高数值孔径 EUV 曝光设备”。目前，尚不清楚三星是否已订购这款先进设备。与此同时，半导体领域的另一大领先企业台积电已于 4 月初开始接受 2 纳米晶圆的订单，这凸显了竞争格局。

三星近期在 2nm GAA 技术上的表现显著提升，据报道生产良率已达到 30%。与之前的 3nm GAA 工艺相比，这一提升有所提升，但该公司仍面临挑战。与此同时，台积电正在向 1.4nm 节点迈进，因此三星的 1nm 雄心对于在行业中赢得竞争优势至关重要。

Sedaily 的报道强调，三星的 1nm 计划（被恰当地称为“梦想半导体工艺”）需要创新的技术和方法。值得注意的是，参与这项雄心勃勃的计划的部分研究人员已被调入新成立的团队，表明其对这一尖端技术的战略重点。然而，值得注意的是，三星此前已决定放弃 1.4nm 工艺，可能是为了将资源转向 2nm 技术——具体原因尚未披露。

展望未来，即使三星成功生产出首颗 1 纳米晶圆，距离量产仍需相当长的时间，预计在 2029 年。这四年的时间跨度意味着生产阶段可能存在一些障碍，但三星对创新的承诺对于克服这些挑战至关重要。我们将继续关注并报道三星在这一雄心勃勃的计划中的进展。

更多详情，可访问新闻来源：Sedaily

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