三星完成第二代 2nm GAA 工艺基本设计，旨在将该技术集成到未来的 Exynos 芯片组等产品中

凭借第一代 2 纳米环绕栅极 (GAA) 技术的进步，三星在晶圆代工市场取得了长足进步。有报道指出，这家韩国科技巨头不仅重拾增长势头，而且未来几年有望挑战台积电的主导地位。近日，有消息证实，三星已完成其第二代 2 纳米 GAA 节点的基础设计。这项新技术预计将在即将推出的 Exynos 系统级芯片 (SoC) 的量产中发挥关键作用。

2nm GAA 技术的进步：迈向性能提升之路

韩国媒体 ZDNet 的详细分析（SF2P）凸显了三星希望通过下一代 2nm GAA 工艺重振其在晶圆代工领域的竞争力的雄心。目前，该公司正在推进 Exynos 2600 原型的量产，其半导体和 LSI 部门的目标是在几个月内实现 50% 的良率目标。这些进展表明，三星正稳步在市场上建立稳固的地位，这一点从该公司和设计公司围绕 SF2P 技术的推广中可见一斑。

量产时间表定于明年，取决于试验阶段是否成功完成。如果一切顺利，第二代 2nm GAA 技术将使三星能够显著增强未来的 Exynos 芯片组。与上一代相比，SF2P 技术有望将性能显著提升 12%，功耗降低 25%，面积缩小 8%。虽然报告并未透露对这项新制造工艺感兴趣的具体客户，但高通很可能是其中的竞争者。

具体来说，高通为即将推出的 Galaxy S25 系列量身定制的骁龙 8 Elite Gen 2 预计将采用三星的 2nm GAA 晶圆进行量产。此次合作暗示了高通潜在的多元化采购战略，旨在平衡三星和台积电之间的生产。随着第一代 2nm GAA 节点的持续发展，促进该领域的竞争至关重要，以确保领先的代工公司能够提供最佳产品。

更详细的见解，请参阅ZDNet的报告。

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