即将推出的 Exynos 2600 目前正在进行原型生产，它将标志着三星旗舰级系统级芯片 (SoC) 在性能和效率方面的重大提升。Exynos 2600 采用先进的 2 纳米环绕栅极 (GAA) 工艺，旨在提升处理能力。然而，Exynos 系列的历代产品在热管理方面存在问题，尽管在智能手机中采用了均热板技术，但仍经常出现过热问题。为了应对这一挑战，三星计划集成一种名为“散热块”(HPB) 的创新解决方案来优化散热，从而确保 SoC 保持最佳性能。
HPB 如何增强 Exynos 2600 的热调节
传统上，三星的 Exynos 芯片组将 DRAM 直接置于 SoC 之上。ETNews 最近的报道表明，Exynos 2600 的设计将有所改进，将 HPB 和 DRAM 直接置于芯片本身上。这种战略性布局使 HPB 能够有效地充当散热器，显著改善热传递。此外，三星预计将在新架构中采用扇出型晶圆级封装 (FOWLP)，该技术最初在 Exynos 2400 中首次亮相。这一改进预计将增强耐热性并提升多核处理性能。
为了应对骁龙 8 Elite Gen 2 和天玑 9500 等竞争对手，三星积极采取措施，确保 Exynos 2600 保持竞争力。最近泄露的 Geekbench 6 数据表明，Exynos 2600 的峰值核心频率将达到 3.55GHz，目前落后于天玑 9400+ 中的 Cortex-X925。
HPB 和 FOWLP 的双重集成有望使 Exynos 2600 实现更高的运行频率。这对于提升单核和多核性能并有效控制温度至关重要。众所周知，过热会降低性能，不仅会给用户带来不适，还可能造成电池损耗和安全隐患，包括电池故障的风险。
如果三星的 2nm GAA 工艺能够实现良好的良率，我们有望在年底前看到 Exynos 2600 的正式发布。这一时间恰好与预计于 2026 年初发布的 Galaxy S26 系列完美契合。
更多详情，请参阅ETNews的原始报道。
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