三星目前在半导体领域面临的挑战与其良率问题密切相关，尤其是在采用3纳米环绕栅极（GAA）技术方面。尽管遭遇挫折，该公司仍致力于战略反弹，将精力集中在即将推出的2纳米GAA节点上。有报道称，三星选择优先开发2纳米GAA工艺，而不是推迟的1.4纳米节点，以挽回高通等合作伙伴流失的业务。然而，要达到与台积电同等的竞争力仍需相当长的时间；该公司正努力将良率稳定在年底前达到60%至70%。
高通重新对三星骁龙 8 Elite Gen 2 的 2nm GAA 技术产生兴趣
自公布2025年第一季度业绩以来，三星一直致力于稳定其2纳米GAA工艺的良率。该公司计划于2025年下半年全面投产。据The Bell报道，尽管目前的良率徘徊在30%左右（低于最佳水平），但三星的目标是尽快将其提升至50%，并预计到年底将进一步提升至60%至70%。
即使三星成功实现良率目标，其成功也取决于能否与高通等关键客户恢复合作关系。与此前高通撤回三星订单的说法相反，最近的报道表明，这家总部位于加州的芯片制造商仍在利用三星的 2nm GAA 技术来开发骁龙 8 Elite Gen 2 项目，该项目此前的代号为 Kaanapali S。
鉴于三星因芯片订单不足而陷入财务困境，其亟需解决运营挑战。为了展现其致力于在高风险的半导体市场建立富有成效的合作的决心，该公司已完成其第二代 2nm GAA 节点的基础设计。此外，三星计划在未来两年内整合其第三代 2nm GAA 技术（称为 SF2P+）。然而，至关重要的是，这些进步必须转化为客户的新订单。
欲了解更多见解，请参阅《The Bell》上的详细文章。
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